MOS Process_1

3.MOS電晶體

橫向擴散

源極與汲極摻雜時，部分摻雜原子會橫向擴散到閘極下方，如圖五、圖六。若要使擴散範圍縮小，會在源/汲極重摻雜前在閘極附近沉積一層間隔物。除了橫向擴散之外，氧化物侵蝕也會對MOS元件造成缺陷，如圖五，由於DIFF光罩層不能精準的描繪出 的圖形，多少會侵入DIFF區域，這種現象稱作氧化物侵蝕，為了補償被侵蝕的區域，在DIFF光罩層前可以對佈局圖先行放大。

長MOS電晶體

如圖七，DIFF層在Poly層下迂迴轉折，並在DIFF層兩端與Metal1連接，形成源極跟汲極。MOS電晶體的寬度就是Poly下DIFF層的寬度，而長度則是以Poly下源極與汲極之間DIFF層的長度來計算。

寬MOS電晶體

如圖八，MOS電晶體的長度仍由Poly來決定，但MOS電晶體的寬度則是DIFF層上的Poly寬度乘以分支的個數，最後再將所有的閘極(Gate)、汲極(Drain)、源極(Source)個別連接再一起，就可以完成寬MOS電晶體。

Poly_2

3.通用CMOS製作過程

首先在晶片上，生長一層墊氧化物，再沉積氮化物和光阻，隨後蓋上Diff光罩做顯影，如圖七(a)所示。再來進行蝕刻，蝕刻會滲入晶片內部形成溝槽如圖七(b)所示，為了隔離主動區，在溝槽中填入　　如圖七(c)所示。圖七(d)中分別植入兩種不同的摻雜，並以光阻顯影兩次選擇調節臨界電壓區塊。經過多次多晶矽的沉積與顯影結果後如圖七(e)所示，暫將Poly作光罩，植入電晶體的輕摻雜汲極LDD(防止源極或汲極區域電場過高)，如圖七(f)所示。再來便是在Poly兩旁聲場氧化物而後進行N/P植入，如圖七(g)所示，最後一步，為降低電阻值過高，因此對個極區進行矽化物沉積，如圖七(h)所示。

4.佈局繪製

NMOS：

圖八為NMOS的佈局圖，在上文中有提到Poly穿越Diff便是一個MOS，而其源極、汲極是可以相互交換使用的。

Diffusion_1

Diffusion與Poly

1.層級介紹

Diffusion：

圖一中的方塊開口是由Diff層所繪製的，稱作主動區，用以製作MOS，而其他由矽氧化層所構成的非主動區則採佈線用。

 

PIMP：

所要摻雜的半導雜質，藉由Diff層外圍所繞的PIMP或NIMP決定，如圖二(a)到(d)所示。