3.通用CMOS製作過程
首先在晶片上，生長一層墊氧化物，再沉積氮化物和光阻，隨後蓋上Diff光罩做顯影，如圖七(a)所示。再來進行蝕刻，蝕刻會滲入晶片內部形成溝槽如圖七(b)所示，為了隔離主動區，在溝槽中填入 如圖七(c)所示。圖七(d)中分別植入兩種不同的摻雜，並以光阻顯影兩次選擇調節臨界電壓區塊。經過多次多晶矽的沉積與顯影結果後如圖七(e)所示，暫將Poly作光罩，植入電晶體的輕摻雜汲極LDD(防止源極或汲極區域電場過高)，如圖七(f)所示。再來便是在Poly兩旁聲場氧化物而後進行N/P植入，如圖七(g)所示，最後一步，為降低電阻值過高，因此對個極區進行矽化物沉積，如圖七(h)所示。
4.佈局繪製
NMOS：
圖八為NMOS的佈局圖，在上文中有提到Poly穿越Diff便是一個MOS，而其源極、汲極是可以相互交換使用的。
