MOS Process_1

3.MOS電晶體

橫向擴散

源極與汲極摻雜時，部分摻雜原子會橫向擴散到閘極下方，如圖五、圖六。若要使擴散範圍縮小，會在源/汲極重摻雜前在閘極附近沉積一層間隔物。除了橫向擴散之外，氧化物侵蝕也會對MOS元件造成缺陷，如圖五，由於DIFF光罩層不能精準的描繪出 的圖形，多少會侵入DIFF區域，這種現象稱作氧化物侵蝕，為了補償被侵蝕的區域，在DIFF光罩層前可以對佈局圖先行放大。

長MOS電晶體

如圖七，DIFF層在Poly層下迂迴轉折，並在DIFF層兩端與Metal1連接，形成源極跟汲極。MOS電晶體的寬度就是Poly下DIFF層的寬度，而長度則是以Poly下源極與汲極之間DIFF層的長度來計算。

寬MOS電晶體

如圖八，MOS電晶體的長度仍由Poly來決定，但MOS電晶體的寬度則是DIFF層上的Poly寬度乘以分支的個數，最後再將所有的閘極(Gate)、汲極(Drain)、源極(Source)個別連接再一起，就可以完成寬MOS電晶體。