MOS_1

1.MOS電晶體的工作原理

依照施加在閘極(Gate)、汲極(Drain)、源極(Source)三點的偏壓不同，MOS電晶體會不同的操作區間：

線性區

如圖一， 、且 ，閘極氧化層下的表面會反轉，且會有漂移電流從汲極流向源極。若 夠小，臨界電壓與空乏層都會保持不變。

飽和區(夾止區)

如圖二， 、且 ，隨著汲極電壓增加到超過閘極電壓時，會使接近汲極的反轉區電荷歸零，造成此處的通道消失，這種情況稱作夾止。若 繼續增大，會使汲極與源極之間的空乏區慢慢擴展到源極，此時被稱為貫穿。在這種情況下，元件會有大電流通過，且導致元件失效。

2.MOS電晶體的狀態

隨著 的正負大小，MOS電晶體會有三種狀態：

聚積

如圖三，當 ，基底的電洞會被吸附到閘極氧化層下，使得閘極電極與基底電極之間形成一電容。

空乏

如圖四，當 的電位不足以吸引大量的電洞、電子至閘極氧化層下方，就會在閘極下方產生出一個空乏通道，空乏通道與基底之間還會產生一個空乏電容，此電容是由氧化層電容與空乏電容串聯構成。

強反轉

當 夠大時，電子會被吸引到閘極下方，此時閘極氧化層下方的矽表面會從N型反轉成P型。