Poly：
如圖三所示，一般CMOS製程中，MOS電晶體的源極與汲極是可以對調使用，而閘極則是由多晶矽所形成的，因此在佈局中，Poly代表閘極，也代表著MOS的個數，在複雜佈局中，只要細數Poly穿越Diff的個數，便也可知道MOS的個數。
自我對準Poly：
如圖四和圖五所示，藉由Diff光罩在場氧化上形成開口後，同時也在開口的地方形成了薄薄的氧化層，根據NIMP指定的範圍摻雜原子，原子可以輕易的穿越氧化層抵達指定區域，而厚厚的多晶矽閘極由於厚度，所以無法穿越。依MOS的源極汲極，使閘極與兩極之間達成了自我對準。
2.阻值
Ploy雖然也可以做連線，但其阻值卻遠遠大於金屬層，而Poly到基底的容值也因為距離較近而相對大了許多，延遲時間與因此變長。在電晶體與場區上沉積一層矽化物，如圖六所示，可以降低阻值。
單位電阻值：Well
> Diffusion > Poly > Metal
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