Well_1

 1.原子摻雜

P基底：在矽晶片中摻雜了三價元素硼、鋁、鎵等受體原子，則此類型的晶

　　　　片稱為P型晶片。

N基底：在矽晶片中摻雜了五價元素磷、砷、銻等施體原子，則此類型的晶

　　　　片稱為N型晶片。

2.N-well(P-well)製程中產生的PN Junctions

甲、寄生二極體

在圖一中，N-well與P基底之間構成了一個寄生二極體，如圖一所示。

 圖.1

在電路中，我們為了避免寄生二極體正偏，P基底通常會與電路中的電壓最低點相連，而這個最低點通常是接地端﹝0V﹞。

乙、空乏層電容形成原理

空乏區是指自由電子和電洞均被空乏的區塊。

在二極體內部，P型材料中含有大量的電洞，N型材料中則含有大量的自由電子，當P型材料與N型材料結合時，其接面的形成導致P、N材料之間產生了空乏區，如圖二所示。

                                                                    圖.2

P型側的電洞向右穿過接面，留下了負電荷在P型側中，使得P型側帶負電；N型側的自由電子向左穿過接面，留下了正電荷在N型側中，使得N型側帶正電。接面兩邊空乏區裡的原子會與自由電子和電洞產生排斥力，此力不僅可以使二極體內的電荷分布平衡，同時也產生出一個寄生電容，如圖三所示。

                                                                      圖.3